今週木曜日、韓国SKハイニックスは、世界初の12層HBM 3 E製品の量産を開始したと発表した。容量は36 GBで、これまでのHBMの最大容量である。
SKハイニックスによると、12層HBM 3 E製品は速度、容量、安定性の面で世界最高基準を達成している。同社は年内に量産品を顧客に提供する計画だ。
このニュースを受けて、SKハイニックスの株価は木曜日に韓国株式市場で大幅に上昇した。同社の株価の日内上昇幅は投稿時点で8.89%に達した。
SKハイニックス、12層HBM量産に先駆け
SKハイニックスは今年3月、顧客に8層のHBM 3 E製品を納入し、業界トップを記録した。SKハイニックスが業界初の12層HBM 3 Eチップ量産を6カ月ぶりに達成し、技術的優位性を改めて証明した。
SKハイニックスは2013年に世界初のHBMを発売して以来、初代（HBM 1）から5代目（HBM 3 E）まですべてのHBMシリーズを開発し供給している唯一の企業だ。
現在、SKハイニックスは業界に先駆けて12層HBM 3 Eを量産した後、人工知能企業の日増しに増加する需要を満たし、人工知能メモリ市場でのリードを維持し続ける。
SKハイニックスのジャスティン・キム会長は、「SKハイニックスはAIメモリ分野の技術的制限を再び突破し、AIメモリ分野での業界トップの地位を示した…人工知能時代の挑戦を克服するために、次世代メモリ製品を着実に準備し、世界一の地位を維持し続ける」と述べた。
速度、容量、安定性が最高基準を達成
同社によると、12層HBM 3 E製品は速度、容量、安定性など人工知能メモリに必要なすべての分野で世界最高基準を満たしている。
SKハイニックスはメモリの動作速度を9.6 Gbpsに高め、これは現在使用可能な最高メモリ速度である。大型言語モデルLlama 3 70 bが、4つのHBM 3 E製品を搭載した単一のGPUによって駆動されれば、毎秒700億個のパラメータを35回読み取ることができる。
SKハイニックスの12層製品は、これまでと同じ厚さの8層製品に比べて容量が50%増加した。この目標を達成するために、同社はDRAMチップ1個を従来より40%薄くし、TSV技術を用いて垂直にスタックした。
同社はまた、そのコア技術であるAdvanced MR-MUFプロセスを応用することで、より薄いチップをより高く積み重ねることによる構造問題を解決した。これにより、次世代製品の放熱性能が前世代製品より10%高くなり、反り制御を強化することで製品の安定性と信頼性を確保することができます。